韓系雙雄加速HBM4E開發(fā) 2027年將攻占40%市場

11月14日消息，韓系據(jù)媒體報道，雙雄市場三星與SK海力士已將目光投向更遠代的加速HBM4E，正加緊布局以應對下一代高端存儲競爭。攻占隨著新一代AI加速器首次引入基于HBM4的韓系定制化設計，HBM在提升性能與降低延遲方面的雙雄市場作用愈發(fā)關鍵。

進入HBM4E階段后，加速產(chǎn)業(yè)有望進一步從標準化產(chǎn)品轉向定制化解決方案，攻占核心部件將按客戶需求進行專門設計。韓系這一轉變預計將成為影響供應商市場競爭格局的雙雄市場關鍵因素。

目前，加速三星與SK海力士均計劃于2026年上半年完成HBM4E的攻占開發(fā)。由于搭載該內存的韓系AI加速器預計將在2027年上市，兩家公司需在2026年下半年完成質量驗證，雙雄市場因此正全力提速研發(fā)進程，加速以確保產(chǎn)品如期推進。

在定制化HBM設計中，基礎裸片可根據(jù)客戶特定需求進行設計與制造。這對DRAM廠商的設計能力與生產(chǎn)工藝提出更高要求，唯有具備快速響應實力的企業(yè)才能在此領域占據(jù)先機。

從HBM4開始，三星已采用自家代工生產(chǎn)基礎裸片，這或許構成其競爭優(yōu)勢的基礎。SK海力士雖同樣轉向代工模式，但選擇與臺積電合作共同開發(fā)HBM產(chǎn)品。而美光出于成本考慮，在HBM4階段仍沿用DRAM工藝生產(chǎn)基礎裸片，計劃到HBM4E再轉由臺積電代工。

有分析指出，HBM4E有望在兩年內成為HBM市場的主流產(chǎn)品，預計到2027年將占據(jù)約40%的市場份額。

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