11月27日消息，存新?lián)襟w報道，突破當?shù)貢r間27日，功耗三星電子旗下SAIT（原三星先進技術(shù)研究院）宣布，狂降已在《自然》上發(fā)表一項關(guān)于新型NAND Flash結(jié)構(gòu)的存新研究成果。

據(jù)這篇名為《用于低功耗NAND閃存的突破鐵電晶體管》的論文介紹，該研究通過創(chuàng)新融合鐵電材料與氧化物半導(dǎo)體，功耗全球首次明確了可將NAND閃存功耗較現(xiàn)有技術(shù)降低 96% 的狂降核心機制。

值得一提的存新是，這項新研究有望提升包括人工智能數(shù)據(jù)中心和移動設(shè)備在內(nèi)的突破各個領(lǐng)域的能效。

據(jù)了解，功耗NAND閃存是狂降一種非易失性存儲介質(zhì)，即使斷電亦可長期保存大量數(shù)據(jù)，存新其工作原理是突破通過向存儲單元注入電子實現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入。

為提升存儲密度，功耗業(yè)界普遍采用堆疊更多存儲層的方式構(gòu)建芯片，但這同時也顯著增加了數(shù)據(jù)讀寫過程中的能耗，尤其在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心場景中，功耗問題已成為亟待解決的關(guān)鍵瓶頸。

而三星研究團隊上述成果攻克了這一難題。

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