11月26日消息，布新?lián)襟w報道，內(nèi)存Tachyum發(fā)布全新TDIMM內(nèi)存技術(shù)，技術(shù)致力于為AI與高性能計算提供更高帶寬、單條帶寬達更大容量與更低能耗的布新解決方案。

該技術(shù)基于Prodigy Ultimate處理器平臺打造，內(nèi)存單條TDIMM帶寬可達281 GB/s，技術(shù)較當(dāng)前主流DDR5提升5.5倍。單條帶寬達Prodigy Ultimate處理器配備24個內(nèi)存通道，布新系統(tǒng)總帶寬高達6.7 TB/s，內(nèi)存約為12通道CPU的技術(shù)11倍。在容量方面，單條帶寬達TDIMM標(biāo)準(zhǔn)版本為256 GB，布新并可擴展至512 GB的內(nèi)存“加高版”與1 TB的“超高版”設(shè)計；若結(jié)合TSV硅通孔技術(shù)，更可實現(xiàn)在單節(jié)點內(nèi)高達3 PB的技術(shù)總內(nèi)存容量。

接口設(shè)計上，TDIMM采用484pin封裝與206個信號引腳，較DDR5 RDIMM的288pin與146個信號僅增加38%，數(shù)據(jù)寬度卻從64位擴展至128位。Tachyum指出，TDIMM所需DRAM數(shù)量比DDR5 RDIMM減少10%，成本預(yù)計降低約10%，其物理尺寸與標(biāo)準(zhǔn)DDR5 DIMM兼容，僅需調(diào)整塑膠模具即可投產(chǎn)。

能耗方面，TDIMM單次激活18顆DRAM，低于DDR5 RDIMM的20顆；盡管高頻信號切換導(dǎo)致引腳功耗上升約30%，但通過采用更新型DRAM可使其功耗回落至DDR5 RDIMM水平。

Tachyum強調(diào)，TDIMM技術(shù)無需等待DDR6標(biāo)準(zhǔn)到來即可實現(xiàn)帶寬翻倍，未來僅需對控制器稍作修改，即可在2027年實現(xiàn)13.5 TB/s帶寬，并于2028年進一步擴展至27 TB/s。

該公司計劃將TDIMM技術(shù)完全開源，并向企業(yè)及標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC免費授權(quán)，以推動其低成本與規(guī)模化應(yīng)用。

Tachyum創(chuàng)始人兼CEO Radoslav Danilak表示，TDIMM是實現(xiàn)在2028年將“覆蓋全部知識”的AI訓(xùn)練系統(tǒng)成本，從8萬億美元與276吉瓦電力大幅削減至780億美元與1吉瓦的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。公司也將持續(xù)開放其指令集架構(gòu)與軟件堆棧，并于今年公布更多開源內(nèi)容。

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