11月20日，華為會(huì)重有數(shù)碼博主在社交媒體上對(duì)華為即將舉辦的系列Mate80系列發(fā)布會(huì)流程進(jìn)行預(yù)測(cè)。其中，發(fā)布華為將時(shí)隔五年首次在發(fā)布會(huì)上介紹最新款麒麟芯片。點(diǎn)預(yù)

根據(jù)該博主的測(cè)年預(yù)測(cè)，華為將在11月25日的首次Mate80系列發(fā)布會(huì)上還會(huì)重點(diǎn)講述：5A級(jí)通訊能力再進(jìn)化、衛(wèi)星通信和低軌聯(lián)網(wǎng)再突破、介紹芯片性能與工藝大提升(五年后首次)、麒麟環(huán)環(huán)和側(cè)邊小孔的華為會(huì)重秘密與黑科技、電池續(xù)航大提升（14天探險(xiǎn)模式超續(xù)航）、系列Mate870 RS的發(fā)布20GB大運(yùn)存與Mate X7的端側(cè)AI能力以及鴻蒙6.0.1的新功能、新特性、點(diǎn)預(yù)新玩法。測(cè)年

華為Mate80系列發(fā)布會(huì)最引人矚目的首次焦點(diǎn)，無(wú)疑是介紹麒麟9030處理器的正式亮相。自從華為遭遇芯片供應(yīng)鏈限制以來(lái)，該公司已多年未在發(fā)布會(huì)上詳細(xì)介紹其麒麟芯片的進(jìn)展。

此次華為選擇高調(diào)展示麒麟9030，標(biāo)志著其在芯片領(lǐng)域取得了決定性突破。

有爆料稱，麒麟9030的晶體管密度甚至勝過(guò)臺(tái)積電3nm工藝，這表明華為在芯片制造工藝上可能取得了重要進(jìn)展。

CNMO還了解到，華為Mate80系列在外觀設(shè)計(jì)上延續(xù)了星環(huán)設(shè)計(jì)語(yǔ)言，但加入了新的元素。特別是官方預(yù)告中提到的“環(huán)環(huán)、側(cè)邊小孔”引發(fā)了廣泛猜測(cè)。據(jù)科技博主分析，側(cè)邊小孔可能是主動(dòng)散熱系統(tǒng)的進(jìn)風(fēng)口。而無(wú)線充電線圈中間的小圓環(huán)，則可能是出風(fēng)口。

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