12月12日消息，麒麟權(quán)威半導(dǎo)體機(jī)構(gòu)TechInsights研究后認(rèn)為，采用華為最新發(fā)布的中芯麒麟9030系列處理器，已經(jīng)用上了中芯國(guó)際最新的國(guó)際光刻5nm級(jí)工藝，官方稱之為“N+3”。藝沒用

相比于之前的麒麟N+2 7nm級(jí)工藝，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了一次全新的采用跨越，并且顯然已經(jīng)投入量產(chǎn)，中芯可以滿足華為Mate 80系列等產(chǎn)品的國(guó)際光刻大規(guī)模供貨需求。

TechInsights還確認(rèn)，藝沒用中芯國(guó)際5nm級(jí)工藝沒有使用EUV極紫外光刻，麒麟而是采用依然使用DUV深紫外光刻，殊為不易。中芯

盡管如此，國(guó)際光刻中芯國(guó)際依然面臨諸多嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，藝沒用尤其是受限于金屬間距的大幅縮減，良品率必然不會(huì)很高，甚至虧損生產(chǎn)。

當(dāng)然，這方面不可能有官方的或者確切的數(shù)據(jù)，只能猜測(cè)。

目前性能最好的DUV浸沒式光刻也只能做到193nm波長(zhǎng)，EUV光刻則能達(dá)到13.5nm，差距是非常大的。

考慮到DUV光刻使用單次曝光只能實(shí)現(xiàn)38nm以下的分辨率，TechInsights認(rèn)為中芯國(guó)際大概率對(duì)現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化挖潛，將單次曝光的分辨率提升至35nm左右，并通過多次曝光完成整個(gè)芯片電路的蝕刻。

事實(shí)上，自對(duì)準(zhǔn)四重曝光(SAQP)等多重曝光技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用多年，華為去年也公布了一份四重曝光技術(shù)專利，因此中芯國(guó)際在5nm級(jí)工藝上使用此類技術(shù)是十分合理的。

今年9月，中芯國(guó)際曾測(cè)試過上海御良昇科技自主研發(fā)的一款DUV浸沒式光刻機(jī)。

資料顯示，這款國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)定位為28nm級(jí)工藝設(shè)備，技術(shù)水平與ASML 2008年左右的雙工件臺(tái)光刻機(jī)相近。

不過，TechInsights認(rèn)為，中芯國(guó)際難以在短期內(nèi)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，這款國(guó)產(chǎn)設(shè)備不太可能用于麒麟9030系列的量產(chǎn)，因此中芯國(guó)際5nm級(jí)工藝大概率仍基于ASML DUV光刻機(jī)完成。

值得一提的是，著名投行高盛之前曾在一份報(bào)告中稱，中國(guó)的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)只能生產(chǎn)65nm工藝的芯片，相比國(guó)際巨頭ASML落后足足有大約20年，不過他們當(dāng)時(shí)認(rèn)為中芯國(guó)際只能量產(chǎn)7nm級(jí)工藝。