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8000Mbps!長鑫國產(chǎn)DDR5內(nèi)存重磅發(fā)布 專家:中國技術(shù)與韓國差距消失

11月25日消息,長鑫存重近日,國產(chǎn)國技國差長鑫存儲在IC China 2025(中國國際半導(dǎo)體博覽會)上,磅發(fā)布專正式發(fā)布最新的家中距消DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品,挑戰(zhàn)韓美先進存儲大廠。術(shù)韓失

據(jù)長鑫介紹,長鑫存重最新DDR5系列最高速率達8000Mbps,國產(chǎn)國技國差最高顆粒容量24Gb,磅發(fā)布專均達到國際領(lǐng)先水平,家中距消并同步推出覆蓋服務(wù)器、術(shù)韓失工作站及個人電腦全領(lǐng)域的長鑫存重七大模組產(chǎn)品。

此外,國產(chǎn)國技國差長鑫還展示了上個月已經(jīng)發(fā)布的磅發(fā)布專LPDDR5X產(chǎn)品。該系列針移動市場旗艦產(chǎn)品,家中距消最高速率 10667Mbps,術(shù)韓失最高顆粒容量 16Gb,并涵蓋 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多種封裝解決方案。

今年稍早時,市場曾出現(xiàn)由中國企業(yè)生產(chǎn)的少量DDR5內(nèi)存,但這次是長鑫存儲作為代表,首度正式展示實際產(chǎn)品。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指出,長鑫存儲展示內(nèi)存性能值得關(guān)注,其DDR5最大速度8000Mbps,比上一代產(chǎn)品(6400 Mbps)提升25%,在技術(shù)路線上至少已追上韓國公司。 業(yè)界人士認為,長鑫存儲的性能足以應(yīng)用于搭載最先進CPU的服務(wù)器。

根據(jù)韓媒 Business Korea引述日經(jīng)及研調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research的數(shù)據(jù),長鑫存儲第三季DRAM市占率達8%,排名第四。 在NAND部分,長江存儲第三季度市占率為13%。

由于美國封鎖EUV等關(guān)鍵設(shè)備出口中國,使得中國擴張腳步放緩,但與韓國在通用DRAM市場的技術(shù)差距約不到一年。

韓媒認為,隨著2030年迎來3D DRAM時代,競爭關(guān)系可能又會出現(xiàn)變數(shù)。3D DRAM是將內(nèi)存單元向上堆疊的產(chǎn)品,當(dāng)3D DRAM時代來臨時,對EUV光刻設(shè)備的需求將下降,這可能成為中國企業(yè)超車的機會。

首爾大學(xué)材料科學(xué)與工程系Hwang Cheol-seong教授表示,單看內(nèi)存技術(shù)水平,韓國與中國的差距幾乎已經(jīng)消失。 當(dāng)不需要EUV光刻設(shè)備的3D DRAM時代在五年后到來時,中國將進一步崛起。

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