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三星計劃調(diào)整存儲芯片產(chǎn)能:將NAND閃存產(chǎn)線轉(zhuǎn)向DRAM

11月21日消息,星計據(jù)媒體報道,劃調(diào)三星電子正啟動存儲芯片產(chǎn)能的整存轉(zhuǎn)重大戰(zhàn)略調(diào)整,計劃將韓國平澤與華城工廠的儲芯產(chǎn)線部分NAND閃存產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為DRAM生產(chǎn)線。

這一舉措源于市場需求的片產(chǎn)顯著分化——業(yè)內(nèi)消息顯示,三星對NAND閃存市場態(tài)度趨于謹慎,閃存而對DRAM需求則采取積極應對策略。星計

此前行業(yè)報告已指出,劃調(diào)包括三星、整存轉(zhuǎn)SK海力士、儲芯產(chǎn)線鎧俠和美光在內(nèi)的片產(chǎn)全球四大NAND廠商,均計劃在2025下半年削減NAND產(chǎn)量,閃存此舉將進一步推高閃存價格。星計

當前DRAM市場正經(jīng)歷劇烈波動,劃調(diào)價格快速攀升。整存轉(zhuǎn)部分服務器客戶為獲取DDR5模塊甚至愿意支付70%的溢價,但仍面臨供應短缺困境。

有科技公司預判,DRAM緊缺態(tài)勢可能延續(xù)數(shù)年,已提前就2027年的產(chǎn)能分配展開談判。

值得注意的是,三星在收縮韓國本土NAND產(chǎn)能的同時,擬通過提升中國西安工廠的產(chǎn)量實現(xiàn)戰(zhàn)略平衡,確保全球NAND供應鏈的穩(wěn)定。

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