隨著AI技術(shù)全面滲透電子產(chǎn)品，乘A潮加產(chǎn)傳統(tǒng)PC市場(chǎng)迎來結(jié)構(gòu)性升級(jí)。速普石在行業(yè)增長(zhǎng)放緩的及長(zhǎng)背景下，AI PC被視為激發(fā)新一輪換機(jī)潮的鑫量“殺手級(jí)應(yīng)用”。AI的奠定產(chǎn)普及對(duì)內(nèi)存提出了更高要求：既需具備LPDDR級(jí)別的高帶寬與低功耗以支持本地AI推理，又需保留SO-DIMM的業(yè)基可升級(jí)性與可維護(hù)性。這一需求矛盾直接推動(dòng)了LPCAMM技術(shù)的乘A潮加產(chǎn)誕生。

LPCAMM以前沿的速普石模塊化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高性能與可升級(jí)性的及長(zhǎng)統(tǒng)一。其將LPDDR5/5X芯片封裝于可替換模塊中，鑫量在提供與焊接式內(nèi)存相當(dāng)?shù)牡於óa(chǎn)高帶寬、低延遲與低功耗的業(yè)基同時(shí)，支持用戶自主升級(jí)，乘A潮加產(chǎn)顯著提升了設(shè)備生命周期與使用靈活性。速普石相比傳統(tǒng)SO-DIMM方案，及長(zhǎng)LPCAMM可節(jié)省高達(dá)60%的主板空間，為AI PC的電池、散熱與其他功能模組留出更多設(shè)計(jì)余地，助力打造更輕薄、更強(qiáng)性能的終端產(chǎn)品。

目前，聯(lián)想、戴爾、仁寶電腦等主要的PC制造商在積極推廣采用了LPCAMM的筆記本電腦。三星電子于2023年9月宣布推出LPCAMM規(guī)格內(nèi)存模組，于2024年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化；美光科技于2024年推出了LPCAMM2內(nèi)存。國(guó)內(nèi)唯一一家DRAM制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，也推出了容量為16GB和32GB的LPCAMM2內(nèi)存模組。展現(xiàn)出與國(guó)際同步的產(chǎn)業(yè)協(xié)同能力。

LPCAMM技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)力來自LPDDR5X內(nèi)存，而長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在此關(guān)鍵領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)重要進(jìn)展。據(jù)官網(wǎng)信息，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)部分量產(chǎn)，產(chǎn)品陣容包括顆粒、芯片及模組等形態(tài)。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個(gè)容量點(diǎn)。LPDDR5X產(chǎn)品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時(shí)兼容LPDDR5，其中10667Mbps速率實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)首次技術(shù)突破，直接躋身業(yè)界先進(jìn)水平。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產(chǎn)品已于今年5月量產(chǎn)，10667Mbps速率的產(chǎn)品已經(jīng)啟動(dòng)客戶送樣。

值得注意的是，長(zhǎng)鑫科技LPDDR5X產(chǎn)品在10667Mbps速率的技術(shù)突破，精準(zhǔn)命中了當(dāng)前端側(cè)AI爆發(fā)的核心需求。在內(nèi)存帶寬成為設(shè)備性能關(guān)鍵瓶頸的當(dāng)下，實(shí)測(cè)證實(shí)，搭載該速率內(nèi)存的設(shè)備在處理Llama 2等大模型時(shí)，響應(yīng)速度與語音轉(zhuǎn)譯等任務(wù)效率顯著提升。對(duì)旗艦手機(jī)而言，這意味著8K視頻連拍、高幀率多任務(wù)等高負(fù)載場(chǎng)景得以流暢運(yùn)行，打破了國(guó)產(chǎn)終端依賴進(jìn)口內(nèi)存實(shí)現(xiàn)頂級(jí)性能的被動(dòng)局面。

當(dāng)前，LPDDR5X已成為高端移動(dòng)設(shè)備的核心配置，全面覆蓋蘋果、三星、華為、小米、OPPO、vivo、榮耀等主流手機(jī)品牌機(jī)型。與此同時(shí)，該內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)也正加速向高端筆記本、AI平板及下一代AR/VR設(shè)備滲透，成為平衡算力性能與能效功耗的關(guān)鍵選擇。

據(jù)悉，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也正在研發(fā)厚度僅0.58mm的LPDDR5X芯片，量產(chǎn)后有望成為全球最薄的DRAM產(chǎn)品。超薄封裝能有效節(jié)省主板空間，從而為手機(jī)容納更大容量電池或復(fù)雜多攝模組提供了可能。值得關(guān)注的是，長(zhǎng)鑫目前正在開發(fā)的HiTPoP封裝技術(shù)嚴(yán)格遵循JEDEC制定的焊球布局標(biāo)準(zhǔn)，確保與現(xiàn)有主板設(shè)計(jì)兼容，通過減薄技術(shù)，有望改善因SoC溫升導(dǎo)致的DRAM高速IO性能瓶頸。

作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的重要力量，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已成功構(gòu)建覆蓋從DDR4、LPDDR4X、LPDDR5到DDR5的完整產(chǎn)品矩陣，其清晰而連貫的技術(shù)迭代路徑，標(biāo)志著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力已邁入國(guó)際主流競(jìng)爭(zhēng)行列。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新推出的LPDDR5X產(chǎn)品不僅完善其產(chǎn)品矩陣，更實(shí)現(xiàn)了從推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展到核心性能比肩國(guó)際巨頭的一次關(guān)鍵突破。未來，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)有望在全球半導(dǎo)體格局中占據(jù)更加有利的市場(chǎng)地位。

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