12月11日消息，海力SK海力士宣布與將NVIDIA展開(kāi)深度合作，士聯(lián)手N升倍共同開(kāi)發(fā)下一代AI NAND解決方案，發(fā)下旨在解決AI運(yùn)算與存儲(chǔ)之間長(zhǎng)期存在的海力瓶頸問(wèn)題。

這款突破性產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2026年底推出首批樣本，士聯(lián)手N升倍其性能相較現(xiàn)有產(chǎn)品將提升近10倍。發(fā)下

SK海力士副社長(zhǎng)Kim Cheon-seong在“2025人工智慧半導(dǎo)體未來(lái)技術(shù)會(huì)議（AISFC）”上指出，海力SK海力士正專注于針對(duì)數(shù)據(jù)中心和邊緣計(jì)算的士聯(lián)手N升倍不同需求，開(kāi)發(fā)高附加值的發(fā)下AI內(nèi)存產(chǎn)品。

在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，海力SK海力士正在開(kāi)發(fā)一套名為“AIN Family”的士聯(lián)手N升倍產(chǎn)品線，該產(chǎn)品線由三種不同側(cè)重點(diǎn)的發(fā)下NAND解決方案組成，分別針對(duì)性能（AI-NP）、海力頻寬（AI-NB）和容量（AI-ND）進(jìn)行優(yōu)化。士聯(lián)手N升倍

其中，發(fā)下AI-NP是專為大規(guī)模AI推論環(huán)境設(shè)計(jì)的核心解決方案，其目標(biāo)是通過(guò)全新的NAND與控制器架構(gòu)，最大限度地降低AI運(yùn)算與存儲(chǔ)之間的數(shù)據(jù)瓶頸，從而大幅提升處理速度和能源效率。

Kim Cheon-seong透露，SK海力士正加速與NVIDIA合作進(jìn)行AI-NP的概念驗(yàn)證，預(yù)計(jì)在2026年底將推出采用PCIe Gen 6接口的版本，并支持2500萬(wàn)次IOPS。

目前數(shù)據(jù)中心高性能企業(yè)級(jí)SSD的IOPS最高約在300萬(wàn)次左右，換言之，AI-NP的首批樣本性能將是現(xiàn)有產(chǎn)品的8至10倍。

SK海力士預(yù)期在2027年底左右，將推動(dòng)支持1億次IOPS的第二代AI-NP產(chǎn)品量產(chǎn)，屆時(shí)其性能有望達(dá)到現(xiàn)有eSSD的30倍以上。

除了AI-NP，SK海力士還在優(yōu)化AI-NB產(chǎn)品，即高頻寬閃存（HBF），其概念類似于HBM內(nèi)存，但HBM是通過(guò)堆疊DRAM實(shí)現(xiàn)的，而HBF則是通過(guò)堆疊NAND閃存來(lái)制造。