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存儲芯片漲價風(fēng)暴前所未有！大摩上調(diào)三星、SK海力士目標價

華爾街大行摩根士丹利近日發(fā)布了一份名為《內(nèi)存——最強定價權(quán)》（Memory–Maximum Pricing Power）的存儲報告，闡述了其對內(nèi)存行業(yè)的芯片星最新看法。

摩根士丹利在報告中上調(diào)了韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子和SK海力士的風(fēng)暴目標股價。這一做法基于該行最近強調(diào)的大摩“存儲芯片將迎來超級周期”的判斷。

具體而言，上調(diào)摩根士丹利將三星電子的力士目標股價設(shè)定為14.4萬韓元（較最新收盤價103100韓元高出近40%）。該行還預(yù)測，目標在牛市行情下，存儲該股可能會漲至17.5萬韓元。芯片星

該行將SK海力士的風(fēng)暴目標價設(shè)定在73萬韓元（較最新收盤價617000韓元高出近20%），并預(yù)測，大摩在牛市行情下，上調(diào)該股有望漲至85萬韓元。力士

摩根士丹利解釋道：“存儲行業(yè)投資很簡單”，目標并指出 “在周期上行階段，存儲利潤率會擴大、股價會上漲、企業(yè)創(chuàng)造巨額利潤，投資者則從中獲得高回報”。

需要指出的是，這是摩根士丹利在大約一個月的時間內(nèi)第二次上調(diào)韓國兩大存儲芯片巨頭的目標價。10月9日，該行將三星電子目標股價上調(diào)至11萬韓元，SK海力士目標股價上調(diào)至48萬韓元。

摩根士丹利在最新報告中稱，受超大規(guī)模人工智能運營商之間競爭的推動，預(yù)計動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 和NAND閃存的價格將繼續(xù)上漲，這些運營商對組件成本的敏感度較低。

此前，摩根士丹利曾發(fā)布《寒冬將至》和《存儲器——冰山隱現(xiàn)》等報告對存儲半導(dǎo)體行業(yè)表達了負面看法，但從今年開始轉(zhuǎn)為看好該行業(yè)，并認為今年該行業(yè)“可能迎來暖冬”。

這一轉(zhuǎn)變的依據(jù)是存儲半導(dǎo)體超級周期。今年9月，摩根史丹利就發(fā)布相關(guān)研報，并提出AI浪潮正推動存儲芯片行業(yè)迎來 “超級周期”。

摩根士丹利在最新報告中指出，“DRAM的價格已經(jīng)超過了歷史最高水平。”該行評估認為，“新的（存儲）價格峰值通常會催生新的股價峰值，而這一次有強勁的盈利作為支撐。”

該行指出，“人工智能 (AI) 的長期增長動力依然強勁，內(nèi)存價格的上漲已進入前所未有的領(lǐng)域，考慮到當(dāng)前周期的強勁勢頭，盈利前景相當(dāng)可觀。”

摩根士丹利特別指出：“各方都在爭相建設(shè)AI基礎(chǔ)設(shè)施，并基于此開發(fā)應(yīng)用、工具及服務(wù)”，同時判斷 “我們?nèi)蕴幱谶@一進程的早期階段”。

事實上，內(nèi)存價格正在快速上漲。DDR5 (16Gb) 現(xiàn)貨價格已從9月份的7.5美元飆升至20.9 美元，漲幅高達336%，遠遠超出預(yù)期。

摩根士丹利還表示：“雖然服務(wù)器DRAM價格尚未達到峰值（目前為1美元/Gb，2018年一季度料為1.25美元/Gb），但這可作為衡量潛在上漲空間的參考”，并預(yù)測，“考慮到人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投資的規(guī)模和超大規(guī)?？蛻舻膭討B(tài)變化，此次價格峰值將超過2018年初云計算超級周期的高點。”

該行還預(yù)測，DRAM價格將在未來幾周內(nèi)繼續(xù)大幅上漲，而受強勁的企業(yè)固態(tài)硬盤 (eSSD) 訂單的推動，NAND合約價格在第四季度可能會上漲20%至30%。

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