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12月8日消息,根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)SIA)發(fā)布的數(shù)據(jù),在AI需求的強(qiáng)力推動(dòng)下,2025年10月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)到713億美元,同比激增33%。其中,DRAM的銷(xiāo)售額同比飆升90%,高達(dá)128.2

內(nèi)存市場(chǎng)瘋了!10月DRAM全球銷(xiāo)售額暴漲90%

12月8日消息,內(nèi)存根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布的市場(chǎng)數(shù)據(jù),在AI需求的瘋月強(qiáng)力推動(dòng)下,2025年10月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)到713億美元,全球同比激增33%。銷(xiāo)售

其中,額暴DRAM的內(nèi)存銷(xiāo)售額同比飆升90%,高達(dá)128.2億美元(約合人民幣906億元),市場(chǎng)成為推動(dòng)全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售增長(zhǎng)的瘋月最大驅(qū)動(dòng)力。

其他芯片方面,全球NAND閃存銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)13%,銷(xiāo)售達(dá)到51.3億美元;模擬芯片銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)18%至79.3億美元;微控制器(MCU)銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)18%,額暴達(dá)到18.8億美元。內(nèi)存

DRAM 銷(xiāo)售的市場(chǎng)狂熱增長(zhǎng),主因是瘋月AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)對(duì)高性能存儲(chǔ)芯片的需求激增,但全球產(chǎn)能卻跟不上。

分析指出,目前大量行業(yè)產(chǎn)能正在向高利潤(rùn)HBM轉(zhuǎn)移,導(dǎo)致了標(biāo)準(zhǔn)DRAM和3D NAND的晶圓產(chǎn)出減少,由于建設(shè)新產(chǎn)能通常需要數(shù)年時(shí)間,市場(chǎng)緊張局勢(shì)在2027年底或2028年前恐難實(shí)質(zhì)性緩解。

TrendForce的數(shù)據(jù)顯示,自今年2月以來(lái),部分存儲(chǔ)芯片價(jià)格已上漲超過(guò)一倍,DRAM供應(yīng)商的平均庫(kù)存水平也從2024年底的13至17周,一路驟降至10月的2至4周。

TrendForce資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示,鑒于買(mǎi)方資金實(shí)力雄厚,傾向于維持更高庫(kù)存水平,實(shí)際采購(gòu)量將顯著超出2026年的66%、2027年的70%預(yù)測(cè)值,導(dǎo)致PC、智能手機(jī)等消費(fèi)終端可獲得的DRAM分配量進(jìn)一步收縮。

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