近期，全球缺貨DRAM、存儲策略NAND和NOR Flash三大核心存儲芯片首次出現(xiàn)同步短缺，芯片下引供應(yīng)鏈正經(jīng)歷20年來最嚴重的國際短缺潮。2025年全球HBM總產(chǎn)能達54萬片，優(yōu)先應(yīng)鏈同比增105%，保供北美但仍難填補缺口。發(fā)供這一現(xiàn)象表面是失衡市場供需失衡，實則折射出人工智能（AI）技術(shù)競爭引發(fā)的全球缺貨全球產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)，以及大國博弈下的存儲策略戰(zhàn)略傾斜。

北美AI算力戰(zhàn)備競賽與高端產(chǎn)能爭奪

當前DRAM供應(yīng)緊張的芯片下引核心原因，在于全球人工智能算力軍備競賽的國際加速。一臺AI服務(wù)器的優(yōu)先應(yīng)鏈DRAM需求是普通服務(wù)器的8倍，訓練GPT-5級別模型可能消耗全球四分之一DRAM供應(yīng)。保供北美而北美作為AI算力需求增長最旺盛的發(fā)供區(qū)域，科技巨頭的算力需求正劇烈沖擊HBM供應(yīng)鏈——Open AI“星際之門”項目每月需90萬片HBM晶圓，相當于當前全球產(chǎn)能的兩倍。TrendForce報告顯示，2025年NVIDIA在HBM市場的采購比重將超70%。

受到AI服務(wù)器對高性能存儲的強勁需求以及高額利潤的雙重驅(qū)動，三星、SK海力士和美光三大存儲巨頭于2025年二季度相繼宣布DDR4產(chǎn)品進入生命周期結(jié)束階段。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2025年Q1 DDR4占全球DRAM產(chǎn)量比重已降至35%，供需缺口從5%迅速擴大至17%。與此同時，三大廠商正將超過70%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM和DDR5。目前，其下一代HBM在未來一年的產(chǎn)能已被幾乎預(yù)訂一空。“售罄”信號進一步加劇了全球存儲產(chǎn)能的緊張局面。

海外廠商的戰(zhàn)略傾斜與全球供應(yīng)鏈失衡

因存儲芯片供需失衡導致的“青黃不接”局面在全球范圍內(nèi)普遍存在，但在不同市場的影響程度各異。由于北美市場是當前AI服務(wù)器需求最旺盛的區(qū)域，這些存儲巨頭在產(chǎn)能分配上展現(xiàn)出強烈的“北美市場優(yōu)先”導向。三星、SK海力士與美國客戶簽訂長期協(xié)議，優(yōu)先保障北美市場供應(yīng)；美光則宣布計劃擴大其在美國的半導體制造和研發(fā)足跡，總投資約2000億美元。

這種戰(zhàn)略傾斜不僅嚴重破壞全球供應(yīng)鏈平衡，也在客觀上配合了美國在AI領(lǐng)域?qū)θA技術(shù)遏制的戰(zhàn)略，導致對中國的通用型DRAM供應(yīng)支持減弱，暴露出海外廠商在全球供應(yīng)鏈中并非穩(wěn)定、可靠的長期伙伴，其商業(yè)行為的“逐利性”更占上峰。

而中國市場作為AI競賽的重要一極，對算力的需求同樣呈幾何倍數(shù)增長，但在地緣政治限制和存儲國際大廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的雙重壓力下，算力需求增長下存儲芯片成為“一片難求”的戰(zhàn)備物資。

國產(chǎn)廠商全力供給，仍難敵價格飆升

面對持續(xù)加劇的供應(yīng)危機，國內(nèi)存儲芯片企業(yè)正在積極應(yīng)對。長鑫存儲、長江存儲、晉華等廠商在多個產(chǎn)品品類加速擴產(chǎn)，努力填補因海外巨頭轉(zhuǎn)向高端市場和供給北美需求所遺留的供應(yīng)缺口。

然而，必須清醒認識到，三星、SK海力士、美光等海外企業(yè)仍牢牢掌控全球存儲芯片市場超過70%的大比例份額，其產(chǎn)能策略對供需格局具有決定性影響。盡管國內(nèi)廠商積極擴產(chǎn)，但由于整體產(chǎn)業(yè)仍處于產(chǎn)能爬坡階段，目前所能彌補的供應(yīng)缺口十分有限，仍無法滿足國內(nèi)市場的巨大需求，這也讓存儲芯片的價格持續(xù)飆升，一度被稱為“電子黃金“。僅就DRAM芯片而言，TrendForce旗下機構(gòu)提供的數(shù)據(jù)顯示，DDR4 16Gb現(xiàn)貨價漲至12.3美元，反超同容量DDR5價格一倍。

目前來看，由國產(chǎn)廠商構(gòu)建起的供應(yīng)端支撐相對海外頭部廠商斷供所留下的市場缺口仍難以在短期內(nèi)平衡，與AI相關(guān)的芯片價格仍將在未來一段時間內(nèi)被國內(nèi)市場的巨大需求推升持續(xù)維持高位。

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