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散熱大幅提升!英特爾直接將散熱器封裝進(jìn)芯片

11月12日消息,散熱散熱據(jù)媒體報(bào)道,大幅英特爾的提升研究團(tuán)隊(duì)正致力于為采用先進(jìn)封裝的芯片開發(fā)更經(jīng)濟(jì)、高效的英特散熱解決方案。

英特爾一篇最新發(fā)表的爾直論文中,其代工部門的器封工程師提出了一種新型的“集成散熱器分解式設(shè)計(jì)”,該方案不僅提升了封裝的裝進(jìn)制造經(jīng)濟(jì)性與工藝友好度,還能為高功率芯片提供更優(yōu)異的芯片散熱性能。

這一方法特別適用于多層堆疊與多芯片封裝結(jié)構(gòu),散熱散熱能夠?qū)⒎庋b翹曲降低約30%,大幅熱界面材料空洞率減少25%。提升

同時(shí),英特它還使英特爾能夠突破傳統(tǒng)制造限制,爾直開發(fā)出“超大尺寸”先進(jìn)封裝芯片,器封避免因成本過高而擱置技術(shù)路線。裝進(jìn)

英特爾將集成散熱器拆解為多個(gè)結(jié)構(gòu)簡單的獨(dú)立部件,這些組件可利用標(biāo)準(zhǔn)制造工藝進(jìn)行組裝。通過優(yōu)化粘合劑、平板設(shè)計(jì)與加固件結(jié)構(gòu),熱界面材料的性能得到進(jìn)一步改善。

隨著芯片設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜、尺寸突破7000mm²限制,傳統(tǒng)集成散熱器因需加工復(fù)雜階梯型腔體和多接觸區(qū)域而面臨制程難度高、成本攀升的挑戰(zhàn),此時(shí)新方法的優(yōu)勢尤為突出。

該分解式設(shè)計(jì)還能將封裝共面性提升約7%,使芯片表面更為平整。這項(xiàng)研究對英特爾未來依托其先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)開發(fā)超大面積封裝芯片具有關(guān)鍵支撐作用。

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