說個(gè)冷知識(shí)，內(nèi)存雖然咱們最終都能通過拆機(jī)或者實(shí)測的瘋狂方式，了解到每代 iPhone 的理多內(nèi)存和電池容量。但其實(shí)蘋果從初代 iPhone 開始，由又就沒在官網(wǎng)上面標(biāo)過這些具體數(shù)值。內(nèi)存

所以大部分人并不一定了解，瘋狂iPhone 標(biāo)準(zhǔn)版的理多內(nèi)存，往往會(huì)比 Pro 系列小那么一截。由又

iPhone?內(nèi)存16 全系標(biāo)配 8?GB 內(nèi)存，但 Pro 系列的瘋狂內(nèi)存規(guī)格更高

現(xiàn)在又有個(gè)新情況，因?yàn)檫@段時(shí)間消費(fèi)級(jí)內(nèi)存變得供不應(yīng)求，理多開始大幅漲價(jià)。由又托尼在網(wǎng)上看到有種說法是內(nèi)存，安卓廠商可能也要跟著 “學(xué)壞了”，瘋狂開始琢磨偷偷給手機(jī)配置降級(jí)。理多

換句話說，無論你明年想換 iPhone 還是其他品牌的手機(jī)，最好都看一眼內(nèi)存的協(xié)議和規(guī)格。因?yàn)槊髂陜?nèi)存不光要漲價(jià)，而且要換新協(xié)議了，而且新協(xié)議的升級(jí)，還挺大的。。。

事情是這樣的，今年 7 月份，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)公布了最新的 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)。大概意思就是，LPDDR5 內(nèi)存已經(jīng)用了七年了，“戰(zhàn)未來” 的事兒就交給新協(xié)議吧。

 托尼這里暫時(shí)先打斷一下，不少人會(huì)把內(nèi)存跟存儲(chǔ)空間搞混，實(shí)際上后者的正確叫法是閃存或者外存，用來存資料、裝應(yīng)用；內(nèi)存大小則直接決定了系統(tǒng)和程序能不能流暢運(yùn)行。

可能大家比較熟悉的內(nèi)存協(xié)議，是用在電腦上的 DDR。當(dāng)這類技術(shù)被用在手機(jī)、平板或者 IoT 設(shè)備時(shí)，就必須額外關(guān)注體積和散熱，尤其要在功耗方面做優(yōu)化，于是就有了 LPDDR，也就是低功耗 Low-Power 版的 DDR。

圖片來源：微機(jī)分WekiHome——【享拆】小米 10 Pro 拆解：為了散熱，拼了！

咱們接著說這次的新協(xié)議，表面上看，這次 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容更新，用一句話就能說明白 ——

在前代 LPDDR5 的基礎(chǔ)上，LPDDR6 的頻率和帶寬增加，功耗變低，同時(shí)更穩(wěn)定。

 但實(shí)際上，LPDDR6 從總線結(jié)構(gòu)，到電源架構(gòu)，再到可靠性機(jī)制都做了大改動(dòng)。

新協(xié)議再加上肉眼可見的提升，可想而知，LPDDR6 內(nèi)存的價(jià)格自然也會(huì)更貴。。。

那咱們接下來，就仔細(xì)聊聊，LPDDR6 貴在哪里吧 升級(jí)點(diǎn)到底是怎么回事吧？

首先，從 LPDDR6 的結(jié)構(gòu)圖就能看出架構(gòu)的改進(jìn)——

每個(gè) LPDDR6 芯片包含兩個(gè)子通道，單個(gè)子通道的位寬為 12?bit，而 LPDDR5 僅僅是 16bit 單通道的設(shè)計(jì)。

如果把 LPDDR5 的 16bit，形容成一條公路上運(yùn)行的 16 座大巴，那么 LPDDR6 就是在兩條公路上，各自都能跑一輛 12 座公交的專線。

 雖然看起來，單條線路的座位數(shù)下降了，但實(shí)際上兩條通道可以并行工作，數(shù)據(jù)通路就變成 24bit，整體的運(yùn)載能力（位寬和帶寬）反而會(huì)更強(qiáng)。

所以 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)組織就規(guī)定，LPDDR6 的數(shù)據(jù)速率將提升到 10667 - 14400 MT/s 之間，對(duì)應(yīng)的理論峰值帶寬就是32–43 GB/s。。。這是個(gè)啥概念呢？

相較最初的 LPDDR5（6400MT/s），單顆 LPDDR6 理論帶寬提升大約是 2.5–3.4 倍；對(duì)比目前速率最高的 LPDDR5X （10667MT/s），也有大約 1.5–2 倍的提升。

咱們都知道帶寬的提升，能帶來更快的內(nèi)存訪問速度，也就是應(yīng)用打開的速度會(huì)變得更快，運(yùn)行程序的流暢度提高；尤其高性能游戲和多任務(wù)操作，也需要高速率的內(nèi)存。

 而且還有一點(diǎn)，LPDDR 標(biāo)準(zhǔn)在頒布之后，隨著制作工藝的成熟，是可以不斷 “超頻” 的。就比如一些內(nèi)存芯片廠商，例如三星、美光和海力士，還推出過速率更高的產(chǎn)品。。。

也就是說，這次 LPDDR6 的起手速率，就是 LPDDR5 內(nèi)存超到冒煙才能達(dá)到的上限，后續(xù)的規(guī)格很可能還會(huì)更高。。。

而且 LPDDR6 這個(gè)雙子通道（Dual?Sub?Channel）的架構(gòu)，除了能提升帶寬，獲得更強(qiáng)的性能，還對(duì)功耗控制有很大的加成。

是這樣的，因?yàn)?LPDDR6 內(nèi)存的每個(gè)子通道擁有獨(dú)立的 DQ（數(shù)據(jù)）、CA（命令/尋址）信號(hào)線，所以它可以對(duì)每條子通道的信號(hào)，進(jìn)行獨(dú)立的控制和功耗管理。

這就使得 LPDDR6 內(nèi)存能夠支持三種數(shù)據(jù)傳輸模式的切換，做到帶寬的 “按需分配”：

玩游戲和 AI 推理時(shí)，兩條子通道全開，全帶寬滿載運(yùn)行；像待機(jī)這樣的輕負(fù)載場景，關(guān)閉一半的閑置子通道，但內(nèi)部存儲(chǔ)單元依舊保持刷新，保留數(shù)據(jù)的完整性；靜態(tài)運(yùn)行時(shí)，閑置的子通道長期關(guān)閉，進(jìn)一步降低功耗，適合物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。

 設(shè)計(jì)非常的先進(jìn)，就是不知道這個(gè)東西，啥時(shí)候能降價(jià)到物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備也用得起。

除了通道結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)帶來的能效升級(jí)，其實(shí) LPDDR6 的電源架構(gòu)也做了改動(dòng)，它在 LPDDR5 的多電源架構(gòu)的基礎(chǔ)上，規(guī)定了更多省電相關(guān)的特性。

托尼這里就撿重點(diǎn)說，LPDDR6 的省電核心邏輯，其實(shí)就是雙電源設(shè)計(jì) + 低電壓運(yùn)行。

說人話就是，LPDDR?6 強(qiáng)制規(guī)定，將常規(guī)供電（VDD2C）與低功耗供電（VDD2D）分成了兩條電源軌。在內(nèi)存工作的高頻段，使用稍高的電壓保證性能，在空閑時(shí)切換到更低的電壓，降低功耗。

 而且 LPDDR6 的VDD2 整體電壓（0.875?V?~?1.0?V），在 LPDDR5（約?0.9?V?~?1.05?V）的基礎(chǔ)上做到了更低，這也意味著更省電。

這原理聽上去合理、樸素而且理所應(yīng)當(dāng)，但這實(shí)際上需要額外的硬件改動(dòng)做配合 ——

例如，每條電源軌道要設(shè)計(jì)檢測電路，并且在芯片封裝時(shí)需要額外設(shè)計(jì)獨(dú)立的電源引腳。。?？傊?，這是個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)性工程。

至于最后一點(diǎn)， LPDDR6 協(xié)議的穩(wěn)定性提升。托尼這里舉一個(gè)例子你就懂了 ——

LPDDR?6 依舊有片上糾錯(cuò) ECC 機(jī)制，而這個(gè)機(jī)制，以往都是在專業(yè)圖形顯卡和工作站中大家才能看到。

假設(shè)沒有 ECC，就會(huì)額外多出一些難以發(fā)現(xiàn)的隨機(jī)錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)，比如長時(shí)間高負(fù)載的視頻渲染，進(jìn)度條跑到 99% 突然崩潰；或者大模型的推理、訓(xùn)練結(jié)果被悄悄算錯(cuò)，系統(tǒng)也不會(huì)給你任何告警。

 我們之前的視頻里也提到過，差評(píng)編輯部有臺(tái)我們自己買的戴爾工作站。這臺(tái)機(jī)器價(jià)格奇高，但因?yàn)?ECC 內(nèi)存更穩(wěn)定，所以遇到剪輯任務(wù)非常緊急，一分鐘都不能耽誤的情況，基本會(huì)把活兒交給工作站來干，最后我們反而又覺得，貴有貴的道理了。

而現(xiàn)在這個(gè)特性，竟然出現(xiàn)在了為移動(dòng)設(shè)備做的內(nèi)存協(xié)議上，可想而知 LPDDR6 的穩(wěn)定性提升幅度有多大了。

其實(shí)之前在 LPDDR?5 上也看見過類似的特性，但當(dāng)時(shí) LPDDR5 只是將 ECC 糾錯(cuò)作為一個(gè)可選特性，而在 LPDDR6 上就是作為標(biāo)準(zhǔn)硬性要求了。

并且 LPDDR6 還附加了命令/地址奇偶校驗(yàn)、錯(cuò)誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測試（MBIST）等等可靠性相關(guān)的特性，托尼這里就不展開講了。大家只需要記住，LPDDR6 增強(qiáng)了內(nèi)存的錯(cuò)誤檢測能力就可以了。

 當(dāng)然這個(gè)特性其實(shí)有一定的代價(jià)的，那就是為了安全，會(huì)有一部分性能損失 ——

因?yàn)?LPDDR6 協(xié)議每次數(shù)據(jù)傳輸?shù)?288bit 數(shù)據(jù)里，只有 256bit 是有效數(shù)據(jù)，剩下的 32bit 是 ECC/DBI 這樣，用于校驗(yàn)的元數(shù)據(jù)。

所以 LPDDR6 協(xié)議的有效帶寬，會(huì)在前面理論值的基礎(chǔ)上打個(gè) 9 折，也就是在 28.5 - 38.4 GB/s 這個(gè)范圍。但為了整體的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，這部分損耗，托尼認(rèn)為還是值得的。

對(duì)咱們消費(fèi)者來說，這個(gè)新協(xié)議影響最大的，還得是明年發(fā)布的手機(jī)，搭載了規(guī)格更新的內(nèi)存，運(yùn)行速度和多任務(wù)處理能力會(huì)有提升。

除此之外，輕薄本的性能和體驗(yàn)也會(huì)更好 ——

 因?yàn)?CPU 與核顯共享同一個(gè)內(nèi)存系統(tǒng)，由于 LPDDR6 大幅增加了帶寬，會(huì)給核顯本帶來更高的渲染帶寬。所以托尼也很好奇，LPDDR6 的升級(jí)，能不能讓核顯本在面對(duì) 3A 游戲的時(shí)候，不至于那么雞肋。。。

根據(jù)目前的消息，三星預(yù)計(jì)最早明年一月份，在 CES 2026上展出 LPDDR6 內(nèi)存。那么預(yù)計(jì)最快明年上半年，我們就可以用上搭載 LPDDR6 內(nèi)存的新設(shè)備了。

但就是 LPDDR6 的普及過程，注定不會(huì)特別順利，而且 LPDDR6 作為一項(xiàng)新技術(shù)，碰上了內(nèi)存的漲價(jià)潮，價(jià)格短時(shí)間內(nèi)也打不下來。

所以真就應(yīng)了托尼之前講 PNG2.0 的文章里，提到的那句話，“不要看到新版本號(hào)就燃起來”，真想買到搭載 LPDDR6 內(nèi)存的設(shè)備，大家還得再耐心等等。

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